Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
NTHL190N65S3HF
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
NTHL190N65S3HF-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 650V 20A TO247-3
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 650 V 20A (Tc) 162W (Tc) Through Hole TO-247-3
Αποθέμα:
278 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12847568
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
NTHL190N65S3HF Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Tube
Σειρά
FRFET®, SuperFET® III
Κατάσταση προϊόντος
Not For New Designs
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
650 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
20A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
190mOhm @ 10A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
5V @ 430µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
34 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1610 pF @ 400 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
162W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-247-3
Συσκευασία / Θήκη
TO-247-3
Βασικός αριθμός προϊόντος
NTHL190
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
30
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
Not Applicable
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
APT43F60B2
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Microchip Technology
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
0
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
APT43F60B2-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
10.23
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
FCPF400N80ZL1
MOSFET N-CH 800V 11A TO220F
NTMFS5C645NLT1G
MOSFET N-CH 60V 22A/100A 5DFN
FDBL0330N80
MOSFET N-CH 80V 220A 8HPSOF
