Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
NTHL030N120M3S
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
NTHL030N120M3S-DG
Περιγραφή:
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET EL
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 1200 V 73A (Tc) 313W (Tc) Through Hole TO-247-3
Αποθέμα:
450 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
13256028
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
NTHL030N120M3S Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Tube
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
1200 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
73A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
18V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
39mOhm @ 30A, 18V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4.4V @ 15mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
107 nC @ 18 V
Vgs (Μέγ.)
+22V, -10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
2430 pF @ 800 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
313W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-247-3
Συσκευασία / Θήκη
TO-247-3
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
30
Άλλα ονόματα
488-NTHL030N120M3S
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
Not Applicable
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
NTH4L030N120M3S
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET EL
NTBG040N120M3S
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E
APT20M16LFLLG
MOSFET N-CH 200V 100A TO264