Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
NTHL022N120M3S
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
NTHL022N120M3S-DG
Περιγραφή:
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 1200 V 68A (Tc) 352W (Tc) Through Hole TO-247-3
Αποθέμα:
187 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
13376046
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
NTHL022N120M3S Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Tube
Σειρά
-
Συσκευασία
Tube
Κατάσταση εξαρτήματος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
SiCFET (Silicon Carbide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
1200 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
68A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
18V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
30mOhm @ 40A, 18V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4.4V @ 20mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
139 nC @ 18 V
Vgs (Μέγ.)
+22V, -10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
3130 pF @ 800 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
352W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-247-3
Συσκευασία / Θήκη
TO-247-3
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
450
Άλλα ονόματα
488-NTHL022N120M3S-ND
5556-NTHL022N120M3S
488-NTHL022N120M3S
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
Not Applicable
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
DMN52D0U-13
MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT23 T&R
DMTH45M5SFVW-7
MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI333
DMP31D7LWQ-7
MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT323 T&R