Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
NTHL020N120SC1
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
NTHL020N120SC1-DG
Περιγραφή:
SICFET N-CH 1200V 103A TO247-3
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 1200 V 103A (Tc) 535W (Tc) Through Hole TO-247-3
Αποθέμα:
393 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
13275958
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
NTHL020N120SC1 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Tube
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
SiCFET (Silicon Carbide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
1200 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
103A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
20V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
28mOhm @ 60A, 20V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4.3V @ 20mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
203 nC @ 20 V
Vgs (Μέγ.)
+25V, -15V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
2890 pF @ 800 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
535W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-247-3
Συσκευασία / Θήκη
TO-247-3
Βασικός αριθμός προϊόντος
NTHL020
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
30
Άλλα ονόματα
488-NTHL020N120SC1
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
Not Applicable
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
NTHL020N090SC1
SICFET N-CH 900V 118A TO247-3
NTBG020N120SC1
SICFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK
NVMFS5C628NWFT1G
MOSFET N-CH 60V 28A/150A 5DFN
