Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
NTHD4102PT1G
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
NTHD4102PT1G-DG
Περιγραφή:
MOSFET 2P-CH 20V 2.9A CHIPFET
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 20V 2.9A 1.1W Surface Mount ChipFET™
Αποθέμα:
12935286
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
NTHD4102PT1G Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
2 P-Channel (Dual)
Δυνατότητα FET
Logic Level Gate
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
20V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
2.9A
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
80mOhm @ 2.9A, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1.5V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
8.6nC @ 4.5V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
750pF @ 16V
Ισχύς - Μέγιστη
1.1W
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
8-SMD, Flat Lead
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
ChipFET™
Βασικός αριθμός προϊόντος
NTHD4102
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
NTHD4102PT1GOSCT
NTHD4102PT1GOS-DG
NTHD4102PT1GOSDKR
NTHD4102PT1GOS
2832-NTHD4102PT1GTR
NTHD4102PT1GOSTR
=NTHD4102PT1GOSCT-DG
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
