Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
NTHD3100CT1G
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
NTHD3100CT1G-DG
Περιγραφή:
MOSFET N/P-CH 20V 2.9A CHIPFET
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 20V 2.9A, 3.2A 1.1W Surface Mount ChipFET™
Αποθέμα:
5410 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12841840
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
NTHD3100CT1G Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
N and P-Channel
Δυνατότητα FET
Logic Level Gate
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
20V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
2.9A, 3.2A
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
80mOhm @ 2.9A, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1.2V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
2.3nC @ 4.5V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
165pF @ 10V
Ισχύς - Μέγιστη
1.1W
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
8-SMD, Flat Lead
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
ChipFET™
Βασικός αριθμός προϊόντος
NTHD3100
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
NTHD3100CT1GOSTR
NTHD3100CT1GOSCT
NTHD3100CT1GOSDKR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
NTHD5903T1G
MOSFET 2P-CH 20V 2.2A CHIPFET
MCH6603-TL-H
MOSFET 2P-CH 50V 0.14A 6MCPH
NVMFD5C668NLT1G
MOSFET 2N-CH 60V 15.5A/68A 8DFN
