NTHD2110TT1G

Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

NTHD2110TT1G

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

NTHD2110TT1G-DG

Περιγραφή:

MOSFET P-CH 12V 4.5A CHIPFET

Λεπτομερής Περιγραφή:

P-Channel 12 V 4.5A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount ChipFET™

Αποθέμα:

RFQ Online

12840645

Αίτηση Προσφοράς

Ποσότητα
Ελάχιστο 1

(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών

ΥΠΟΒΑΛΛΩ

NTHD2110TT1G Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία

FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs

Κατασκευαστής

onsemi

Συσκευασία

-

Σειρά

-

Κατάσταση προϊόντος

Obsolete

Τύπος FET

P-Channel

Τεχνολογία

MOSFET (Metal Oxide)

Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)

12 V

Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C

4.5A (Ta)

Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs

40mOhm @ 6.4A, 4.5V

Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID

850mV @ 250µA

Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs

14 nC @ 4.5 V

Vgs (Μέγ.)

±8V

Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds

1072 pF @ 6 V

Δυνατότητα FET

-

Απαγωγή ισχύος (μέγ.)

1.1W (Ta)

Θερμοκρασία λειτουργίας

-55°C ~ 150°C (TJ)

Τύπος τοποθέτησης

Surface Mount

Πακέτο συσκευής προμηθευτή

ChipFET™

Συσκευασία / Θήκη

8-SMD, Flat Lead

Βασικός αριθμός προϊόντος

NTHD21

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων

Φύλλα δεδομένων

HTML Δελτίο δεδομένων

NTHD2110TT1G-DG

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο

3,000

Άλλα ονόματα

2156-NTHD2110TT1G-ONTR-DG

ONSONSNTHD2110TT1G

2156-NTHD2110TT1G

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)

1 (Unlimited)

Κατάσταση REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Πιστοποίηση DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Σχετικά προϊόντα

onsemi

NDT014

MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT-223-4

onsemi

NTMFS4921NT3G

MOSFET N-CH 30V 8.8A/58.5A 5DFN

onsemi

FQPF50N06L

MOSFET N-CH 60V 32.6A TO220F

onsemi

HUF75631SK8T

MOSFET N-CH 100V 5.5A 8SOIC