Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
NTH4L160N120SC1
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
NTH4L160N120SC1-DG
Περιγραφή:
SICFET N-CH 1200V 17.3A TO247
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 1200 V 17.3A (Tc) 111W (Tc) Through Hole TO-247-4L
Αποθέμα:
1327 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12938838
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
NTH4L160N120SC1 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Tube
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
SiCFET (Silicon Carbide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
1200 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
17.3A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
20V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
224mOhm @ 12A, 20V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4.3V @ 2.5mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
34 nC @ 20 V
Vgs (Μέγ.)
+25V, -15V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
665 pF @ 800 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
111W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-247-4L
Συσκευασία / Θήκη
TO-247-4
Βασικός αριθμός προϊόντος
NTH4L160
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
30
Άλλα ονόματα
2156-NTH4L160N120SC1
488-NTH4L160N120SC1
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
Not Applicable
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
NTH4L080N120SC1
SICFET N-CH 1200V 29A TO247-4
RFM12P08
P-CHANNEL POWER MOSFET
NTD15N06LT4G
N-CHANNEL POWER MOSFET
