Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
NTH4L067N65S3H
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
NTH4L067N65S3H-DG
Περιγραφή:
SUPERFET3 FAST 67MOHM TO-247-4
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 650 V 40A (Tc) 266W (Tc) Through Hole TO-247-4L
Αποθέμα:
12974438
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
NTH4L067N65S3H Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Tube
Σειρά
SuperFET® III
Κατάσταση προϊόντος
Not For New Designs
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
650 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
40A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
67mOhm @ 20A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 3.9mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
3750 pF @ 400 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
266W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-247-4L
Συσκευασία / Θήκη
TO-247-4
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
30
Άλλα ονόματα
488-NTH4L067N65S3H
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
Not Applicable
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
NTH4LN067N65S3H
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
onsemi
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
361
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
NTH4LN067N65S3H-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
4.45
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Parametric Equivalent
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
PJE8400_R1_00001
20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
MSC750SMA170SA
MOSFET SIC 1700 V 750 MOHM D2PAK
SUD50N04-8M8P-4BE3
MOSFET N-CH 40V 14A/50A DPAK
