Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
NTH4L020N120SC1
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
NTH4L020N120SC1-DG
Περιγραφή:
SICFET N-CH 1200V 102A TO247
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 1200 V 102A (Tc) 510W (Tc) Through Hole TO-247-4L
Αποθέμα:
436 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12938224
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
NTH4L020N120SC1 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Tube
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
SiCFET (Silicon Carbide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
1200 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
102A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
20V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
28mOhm @ 60A, 20V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4.3V @ 20mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
220 nC @ 20 V
Vgs (Μέγ.)
+25V, -15V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
2943 pF @ 800 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
510W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-247-4L
Συσκευασία / Θήκη
TO-247-4
Βασικός αριθμός προϊόντος
NTH4L020
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
30
Άλλα ονόματα
488-NTH4L020N120SC1
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
Not Applicable
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
XPH3R114MC,L1XHQ
MOSFET P-CH 40V 100A 8SOP
TK1R4S04PB,LXHQ
MOSFET N-CH 40V 120A DPAK
AOUS66414
MOSFET N-CH 40V 40A/92A ULTRASO8
