NTGS5120PT1G
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

NTGS5120PT1G

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

NTGS5120PT1G-DG

Περιγραφή:

MOSFET P-CH 60V 1.8A 6TSOP
Λεπτομερής Περιγραφή:
P-Channel 60 V 1.8A (Ta) 600mW (Ta) Surface Mount 6-TSOP

Αποθέμα:

2864 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12859424
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

NTGS5120PT1G Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
P-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
60 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
1.8A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
111mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
3V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
18.1 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
942 pF @ 30 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
600mW (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
6-TSOP
Συσκευασία / Θήκη
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Βασικός αριθμός προϊόντος
NTGS5120

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
NTGS5120PT1GOSDKR
NTGS5120PT1GOSTR
NTGS5120PT1GOSCT
NTGS5120PT1G-DG

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Εναλλακτικά Μοντέλα

ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
PJS6461_S1_00001
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Panjit International Inc.
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
23354
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
PJS6461_S1_00001-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.09
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
DMP6110SVTQ-13
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Diodes Incorporated
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
10000
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
DMP6110SVTQ-13-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.21
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
NVGS5120PT1G
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
onsemi
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
89490
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
NVGS5120PT1G-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.29
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Parametric Equivalent
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
onsemi

NTD6415ANT4G

MOSFET N-CH 100V 23A DPAK

onsemi

NVMFS5C404NLWFT1G

MOSFET N-CH 40V 49A/352A 5DFN

onsemi

NVMYS2D4N04CTWG

MOSFET N-CH 40V 30A/138A LFPAK4

renesas-electronics-america

NP90N04VUK-E1-AY

MOSFET N-CH 40V 90A TO252