NTD95N02RT4G
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

NTD95N02RT4G

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

NTD95N02RT4G-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 24V 12A/32A DPAK
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 24 V 12A (Ta), 32A (Tc) 1.25W (Ta), 86W (Tc) Surface Mount DPAK

Αποθέμα:

12858069
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

NTD95N02RT4G Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
-
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
24 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
12A (Ta), 32A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
5mOhm @ 20A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
21 nC @ 4.5 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
2400 pF @ 20 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
1.25W (Ta), 86W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
DPAK
Συσκευασία / Θήκη
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Βασικός αριθμός προϊόντος
NTD95

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
2,500
Άλλα ονόματα
2156-NTD95N02RT4G-ONTR-DG
ONSONSNTD95N02RT4G
2156-NTD95N02RT4G

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Εναλλακτικά Μοντέλα

ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
STD95N2LH5
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
STMicroelectronics
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
5892
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
STD95N2LH5-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.60
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
renesas-electronics-america

NP60N04NUK-S18-AY

MOSFET N-CH 40V 60A TO262-3

onsemi

NTF3055-100T1

MOSFET N-CH 60V 3A SOT223

vishay-siliconix

IRF830ALPBF

MOSFET N-CH 500V 5A I2PAK

onsemi

NVC6S5A444NLZT1G

MOSFET N-CH 60V 3.5A 6CPH