Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
NTD6416ANLT4G
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
NTD6416ANLT4G-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 100V 19A DPAK
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 100 V 19A (Tc) 71W (Tc) Surface Mount DPAK
Αποθέμα:
7435 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12939707
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
NTD6416ANLT4G Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
100 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
19A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
74mOhm @ 19A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.2V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1000 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
71W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
DPAK
Συσκευασία / Θήκη
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Βασικός αριθμός προϊόντος
NTD6416
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
2,500
Άλλα ονόματα
NTD6416ANLT4GOSTR
NTD6416ANLT4GOSCT
2156-NTD6416ANLT4G-OS
ONSONSNTD6416ANLT4G
NTD6416ANLT4G-DG
NTD6416ANLT4GOSDKR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
IRF710PBF
MOSFET N-CH 400V 2A TO220AB
NTBLS002N08MC
MOSFET N-CH 80V 28A/238A 8HPSOF
NVMJS0D8N04CLTWG
MOSFET N-CH 40V 56A/368A 8LFPAK
