NTD5C632NLT4G
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

NTD5C632NLT4G

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

NTD5C632NLT4G-DG

Περιγραφή:

T6 60V LL DPAK
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 60 V 29A (Ta), 155A (Tc) 4W (Ta), 115W (Tc) Surface Mount DPAK

Αποθέμα:

2279 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12979567
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

NTD5C632NLT4G Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
60 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
29A (Ta), 155A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
2.5mOhm @ 50A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.1V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
34 nC @ 4.5 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
5700 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
4W (Ta), 115W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
DPAK
Συσκευασία / Θήκη
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Φύλλα δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
2,500
Άλλα ονόματα
488-NTD5C632NLT4GCT
488-NTD5C632NLT4GTR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
onsemi

NVMFWS027N10MCLT1G

PTNG 100V LL SO8FL

onsemi

NVMFS5831NLWFT1G

T2 40V LL, SINGLE NCH, SO-8FL 2.

nexperia

PMPB11R2VPX

MOSFET P-CH 12V 9.7A DFN2020M-6