Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
NTD5865N-1G
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
NTD5865N-1G-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 60V 43A DPAK
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 60 V 43A (Tc) 71W (Tc) Surface Mount DPAK
Αποθέμα:
12860347
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
NTD5865N-1G Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
-
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
60 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
43A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
18mOhm @ 20A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1261 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
71W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
DPAK
Συσκευασία / Θήκη
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Βασικός αριθμός προϊόντος
NTD58
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
75
Άλλα ονόματα
NTD5865N-1G-DG
2156-NTD5865N-1G-ON
ONSONSNTD5865N-1G
NTD5865N-1GOS
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
AOI442
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
0
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
AOI442-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.34
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
TSM170N06CH C5G
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Taiwan Semiconductor Corporation
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
29506
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
TSM170N06CH C5G-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.29
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
2SK1340-E
MOSFET N-CH 900V 5A TO3P
NVMFS5C645NLWFT3G
MOSFET N-CH 60V 22A 5DFN
IPB156N22NFDATMA1
MOSFET N-CH 220V 72A TO263-3
