NTD4970N-35G
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

NTD4970N-35G

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

NTD4970N-35G-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 30V 8.5A/36A IPAK
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 30 V 8.5A (Ta), 36A (Tc) 1.38W (Ta), 24.6W (Tc) Through Hole I-Pak

Αποθέμα:

12856048
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

NTD4970N-35G Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
-
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
30 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
8.5A (Ta), 36A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
11mOhm @ 30A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.5V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
8.2 nC @ 4.5 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
774 pF @ 15 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
1.38W (Ta), 24.6W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
I-PAK
Συσκευασία / Θήκη
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Βασικός αριθμός προϊόντος
NTD4970

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
75
Άλλα ονόματα
2156-NTD4970N-35G-OS
ONSONSNTD4970N-35G
2832-NTD4970N-35G
NTD4970N-35GOS
NTD4970N-35G-DG

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
renesas-electronics-america

UPA2737GR-E1-AT

MOSFET P-CH 30V 11A 8SOP

onsemi

NTR4501NT3

MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT23-3

onsemi

MMSF3P02HDR2G

MOSFET P-CH 20V 5.6A 8SOIC

onsemi

NTNS5K0P021ZTCG

MOSFET P-CH 20V 127MA 3XDFN