NTD4969N-35G

Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

NTD4969N-35G

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

NTD4969N-35G-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 30V 9.4A/41A IPAK

Λεπτομερής Περιγραφή:

N-Channel 30 V 9.4A (Ta), 41A (Tc) 1.38W (Ta), 26.3W (Tc) Through Hole I-Pak

Αποθέμα:

RFQ Online

12856127

Αίτηση Προσφοράς

Ποσότητα
Ελάχιστο 1

(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών

ΥΠΟΒΑΛΛΩ

NTD4969N-35G Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία

FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs

Κατασκευαστής

onsemi

Συσκευασία

-

Σειρά

-

Κατάσταση προϊόντος

Obsolete

Τύπος FET

N-Channel

Τεχνολογία

MOSFET (Metal Oxide)

Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)

30 V

Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C

9.4A (Ta), 41A (Tc)

Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs

9mOhm @ 30A, 10V

Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID

2.5V @ 250µA

Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs

9 nC @ 4.5 V

Vgs (Μέγ.)

±20V

Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds

837 pF @ 15 V

Δυνατότητα FET

-

Απαγωγή ισχύος (μέγ.)

1.38W (Ta), 26.3W (Tc)

Θερμοκρασία λειτουργίας

-55°C ~ 175°C (TJ)

Τύπος τοποθέτησης

Through Hole

Πακέτο συσκευής προμηθευτή

I-PAK

Συσκευασία / Θήκη

TO-251-3 Stub Leads, IPak

Βασικός αριθμός προϊόντος

NTD49

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων

Φύλλα δεδομένων

HTML Δελτίο δεδομένων

NTD4969N-35G-DG

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο

75

Άλλα ονόματα

ONSONSNTD4969N-35G

2156-NTD4969N-35G-ON

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)

1 (Unlimited)

Κατάσταση REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Πιστοποίηση DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Σχετικά προϊόντα

onsemi

NTGS3446T1G

MOSFET N-CH 20V 2.5A 6TSOP

onsemi

NVMFS5833NT3G

MOSFET N-CH 40V 16A 5DFN

onsemi

NTMFS6H848NT1G

MOSFET N-CH 80V 13A/57A 5DFN

onsemi

NTTFS5C454NLTWG

MOSFET N-CH 40V 20A/85A 8WDFN