NTD4960N-35G
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

NTD4960N-35G

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

NTD4960N-35G-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 30V 8.9A/55A IPAK
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 30 V 8.9A (Ta), 55A (Tc) 1.07W (Ta), 35.71W (Tc) Through Hole IPAK

Αποθέμα:

12840725
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

NTD4960N-35G Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
-
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
30 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
8.9A (Ta), 55A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
8mOhm @ 30A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.5V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1300 pF @ 15 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
1.07W (Ta), 35.71W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
IPAK
Συσκευασία / Θήκη
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Βασικός αριθμός προϊόντος
NTD49

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
75
Άλλα ονόματα
NTD4960N-35GOS
2156-NTD4960N-35G-ON
ONSONSNTD4960N-35G

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Εναλλακτικά Μοντέλα

ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IPD090N03LGATMA1
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Infineon Technologies
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
94138
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IPD090N03LGATMA1-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.23
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
onsemi

FQB17P10TM

MOSFET P-CH 100V 16.5A D2PAK

onsemi

NTMFS4823NT3G

MOSFET N-CH 30V 6.9A/30A 5DFN

onsemi

NVTFS5824NLTAG

MOSFET N-CH 60V 20A 8WDFN

onsemi

NVMFS6H864NWFT1G

MOSFET N-CH 80V 6.7A/21A 5DFN