NTD4909N-1G

Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

NTD4909N-1G

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

NTD4909N-1G-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 30V 8.8A/41A IPAK

Λεπτομερής Περιγραφή:

N-Channel 30 V 8.8A (Ta), 41A (Tc) 1.37W (Ta), 29.4W (Tc) Through Hole I-PAK

Αποθέμα:

RFQ Online

12847748

Αίτηση Προσφοράς

Ποσότητα
Ελάχιστο 1

(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών

ΥΠΟΒΑΛΛΩ

NTD4909N-1G Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία

FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs

Κατασκευαστής

onsemi

Συσκευασία

-

Σειρά

-

Κατάσταση προϊόντος

Obsolete

Τύπος FET

N-Channel

Τεχνολογία

MOSFET (Metal Oxide)

Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)

30 V

Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C

8.8A (Ta), 41A (Tc)

Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs

8mOhm @ 30A, 10V

Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID

2.2V @ 250µA

Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs

17.5 nC @ 10 V

Vgs (Μέγ.)

±20V

Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds

1314 pF @ 15 V

Δυνατότητα FET

-

Απαγωγή ισχύος (μέγ.)

1.37W (Ta), 29.4W (Tc)

Θερμοκρασία λειτουργίας

-55°C ~ 175°C (TJ)

Τύπος τοποθέτησης

Through Hole

Πακέτο συσκευής προμηθευτή

I-PAK

Συσκευασία / Θήκη

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Βασικός αριθμός προϊόντος

NTD49

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων

Φύλλα δεδομένων

HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο

75

Άλλα ονόματα

2156-NTD4909N-1G-ON

ONSONSNTD4909N-1G

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)

1 (Unlimited)

Κατάσταση REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Πιστοποίηση DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Σχετικά προϊόντα

onsemi

FDS2582

MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC

onsemi

FCD4N60TM_WS

MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK

onsemi

NTD4906NT4G

MOSFET N-CH 30V 10.3A/54A DPAK

onsemi

NVMFS6B14NLWFT3G

MOSFET N-CH 100V 11A/55A 5DFN