NTD4809NT4G
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

NTD4809NT4G

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

NTD4809NT4G-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 30V 9.6A/58A DPAK
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 30 V 9.6A (Ta), 58A (Tc) 1.4W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount DPAK

Αποθέμα:

12848178
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

NTD4809NT4G Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
-
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
30 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
9.6A (Ta), 58A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 11.5V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
9mOhm @ 30A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.5V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
25 nC @ 11.5 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1456 pF @ 12 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
1.4W (Ta), 52W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
DPAK
Συσκευασία / Θήκη
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Βασικός αριθμός προϊόντος
NTD48

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
1
Άλλα ονόματα
NTD4809NT4GOSCT-DG
NTD4809NT4GOSTR-DG
1990-NTD4809NT4GTR
NTD4809NT4GOSCT
NTD4809NT4GOSDKR
488-NTD4809NT4GTR
NTD4809NT4G-DG
1990-NTD4809NT4GCT
1990-NTD4809NT4GDKR
NTD4809NT4GOSTR
NTD4809NT4GOSDKR-DG

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Εναλλακτικά Μοντέλα

ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
FDD8876
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
onsemi
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
8387
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
FDD8876-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.51
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IRFR3707ZTRPBF
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Infineon Technologies
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
35271
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IRFR3707ZTRPBF-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.28
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IPD30N03S4L09ATMA1
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Infineon Technologies
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
48073
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IPD30N03S4L09ATMA1-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.31
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IPD090N03LGATMA1
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Infineon Technologies
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
94138
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IPD090N03LGATMA1-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.23
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
FDD8880
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
onsemi
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
13967
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
FDD8880-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.27
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
onsemi

NTMSD6N303R2SG

MOSFET N-CH 30V 6A 8SOIC

onsemi

NTF3055L175T1G

MOSFET N-CH 60V 2A SOT223

infineon-technologies

IPB100N06S2L05ATMA1

MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3

onsemi

NTMFS4C022NT1G

MOSFET N-CH 30V 30A/136A 5DFN