NTD4809NA-35G
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

NTD4809NA-35G

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

NTD4809NA-35G-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 30V 9.6A/58A IPAK
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 30 V 9.6A (Ta), 58A (Tc) 1.3W (Ta), 52W (Tc) Through Hole I-Pak

Αποθέμα:

12856596
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

NTD4809NA-35G Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
-
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
30 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
9.6A (Ta), 58A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 11.5V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
9mOhm @ 30A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.5V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
13 nC @ 4.5 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1456 pF @ 12 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
1.3W (Ta), 52W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
I-PAK
Συσκευασία / Θήκη
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Βασικός αριθμός προϊόντος
NTD48

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
75
Άλλα ονόματα
2156-NTD4809NA-35G-ON
ONSONSNTD4809NA-35G

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
onsemi

SCH1436-TL-H

MOSFET N-CH 30V 1.8A 6SCH

onsemi

NTMS5P02R2SG

MOSFET P-CH 20V 3.95A 8SOIC

onsemi

NTD20N06LT4G

MOSFET N-CH 60V 20A DPAK

onsemi

NTP13N10G

MOSFET N-CH 100V 13A TO220AB