NTD3813NT4G
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

NTD3813NT4G

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

NTD3813NT4G-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 16V 9.6A/51A DPAK
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 16 V 9.6A (Ta), 51A (Tc) 1.2W (Ta), 34.9W (Tc) Surface Mount DPAK

Αποθέμα:

12855962
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

NTD3813NT4G Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
-
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
16 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
9.6A (Ta), 51A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
8.75mOhm @ 15A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.5V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
12.8 nC @ 4.5 V
Vgs (Μέγ.)
±16V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
963 pF @ 12 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
1.2W (Ta), 34.9W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
DPAK
Συσκευασία / Θήκη
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Βασικός αριθμός προϊόντος
NTD38

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
2,500
Άλλα ονόματα
2156-NTD3813NT4G-ONTR
ONSONSNTD3813NT4G

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
renesas-electronics-america

NP80N06MLG-S18-AY

MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3

renesas-electronics-america

NP90N04MUK-S18-AY

MOSFET N-CH 40V 90A TO220

onsemi

NTNS3166NZT5G

MOSFET N-CH 20V 0.361A SOT883

onsemi

NTD4965N-35G

MOSFET N-CH 30V 13A/68A IPAK