NTD3813N-1G

Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

NTD3813N-1G

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

NTD3813N-1G-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 16V 9.6A/51A IPAK

Λεπτομερής Περιγραφή:

N-Channel 16 V 9.6A (Ta), 51A (Tc) 1.2W (Ta), 34.9W (Tc) Through Hole IPAK

Αποθέμα:

RFQ Online

12858978

Αίτηση Προσφοράς

Ποσότητα
Ελάχιστο 1

(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών

ΥΠΟΒΑΛΛΩ

NTD3813N-1G Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία

FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs

Κατασκευαστής

onsemi

Συσκευασία

-

Σειρά

-

Κατάσταση προϊόντος

Obsolete

Τύπος FET

N-Channel

Τεχνολογία

MOSFET (Metal Oxide)

Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)

16 V

Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C

9.6A (Ta), 51A (Tc)

Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs

8.75mOhm @ 15A, 10V

Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID

2.5V @ 250µA

Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs

12.8 nC @ 4.5 V

Vgs (Μέγ.)

±16V

Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds

963 pF @ 12 V

Δυνατότητα FET

-

Απαγωγή ισχύος (μέγ.)

1.2W (Ta), 34.9W (Tc)

Θερμοκρασία λειτουργίας

-55°C ~ 175°C (TJ)

Τύπος τοποθέτησης

Through Hole

Πακέτο συσκευής προμηθευτή

IPAK

Συσκευασία / Θήκη

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Βασικός αριθμός προϊόντος

NTD38

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων

Φύλλα δεδομένων

HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο

75

Άλλα ονόματα

2156-NTD3813N-1G-ON

ONSONSNTD3813N-1G

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)

1 (Unlimited)

Κατάσταση REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Πιστοποίηση DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Σχετικά προϊόντα

onsemi

NTD18N06L-001

MOSFET N-CH 60V 18A IPAK

vishay-siliconix

IRF840

MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB

infineon-technologies

IPP076N15N5AKSA1

MOSFET N-CH 150V 112A TO220-3

onsemi

NTD6600N

MOSFET N-CH 100V 12A DPAK