NTD250N65S3H
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

NTD250N65S3H

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

NTD250N65S3H-DG

Περιγραφή:

POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 650 V 13A (Tc) 106W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)

Αποθέμα:

12964864
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

NTD250N65S3H Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
SuperFET® III
Κατάσταση προϊόντος
Not For New Designs
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
650 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
13A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
250mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 1.1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1261 pF @ 400 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
106W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-252 (DPAK)
Συσκευασία / Θήκη
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
2,500
Άλλα ονόματα
488-NTD250N65S3HTR
488-NTD250N65S3HCT
488-NTD250N65S3HDKR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Εναλλακτικά Μοντέλα

ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
STD80N240K6
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
STMicroelectronics
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
1525
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
STD80N240K6-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
2.45
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
panjit

PJA3416A_R1_00001

SOT-23, MOSFET

onsemi

NTPF360N65S3H

POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE

panjit

PJA3449_R1_00001

SOT-23, MOSFET

vishay-siliconix

SQJQ160E-T1_GE3

AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)