Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
NTBS2D7N06M7
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
NTBS2D7N06M7-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 60V 110A D2PAK-3
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 60 V 110A (Tc) 176W (Tj) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Αποθέμα:
1208 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12841784
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
NTBS2D7N06M7 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
60 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
110A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
2.7mOhm @ 80A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
6655 pF @ 30 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
176W (Tj)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-263 (D2PAK)
Συσκευασία / Θήκη
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Βασικός αριθμός προϊόντος
NTBS2
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
800
Άλλα ονόματα
NTBS2D7N06M7OSCT
NTBS2D7N06M7OSTR
NTBS2D7N06M7-DG
NTBS2D7N06M7OSDKR
2832-NTBS2D7N06M7TR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
NTMFS5C628NLT3G
MOSFET N-CH 60V 5DFN
NVMFS5C670NLT1G
MOSFET N-CH 60V 17A/71A 5DFN
NDC631N
MOSFET N-CH 20V 4.1A SUPERSOT6
