NSVMUN5316DW1T1G
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

NSVMUN5316DW1T1G

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

NSVMUN5316DW1T1G-DG

Περιγραφή:

TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V SC88
Λεπτομερής Περιγραφή:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363

Αποθέμα:

14100 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12847086
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

NSVMUN5316DW1T1G Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
Διπολικός (BJT), Διατάξεις Βιοπολικών Τρανζίστορ, Προεισαγωγική Πρότυπη
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος τρανζίστορ
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.)
100mA
Ανάλυση εκπομπού τάσης - συλλέκτη (μέγ.)
50V
Αντίσταση - Βάση (R1)
4.7kOhms
Αντίσταση - Βάση πομπού (R2)
-
Κέρδος ρεύματος DC (hFE) (ελάχιστο) @ IC, Vce
160 @ 5mA, 10V
Vce κορεσμός (μέγ.) @ Ib, Ic
250mV @ 300µA, 10mA
Ρεύμα - Συλλέκτης Cutoff (Μέγ.)
500nA
Συχνότητα - Μετάβαση
-
Ισχύς - Μέγιστη
250mW
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
SC-88/SC70-6/SOT-363
Βασικός αριθμός προϊόντος
NSVMUN5316

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
NSVMUN5316DW1T1GOSTR
ONSONSNSVMUN5316DW1T1G
NSVMUN5316DW1T1G-DG
2156-NSVMUN5316DW1T1G-OS
NSVMUN5316DW1T1GOSCT
NSVMUN5316DW1T1GOSDKR
2832-NSVMUN5316DW1T1GTR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
onsemi

SMUN5312DW1T1G

TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363

panasonic

DMC264010R

TRANS PREBIAS DUAL NPN MINI6

onsemi

MUN5311DW1T1

TRANS BRT DUAL 100MA 50V SOT363

onsemi

NSBC114YDP6T5G

TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT963