Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
NSVMUN5312DW1T2G
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
NSVMUN5312DW1T2G-DG
Περιγραφή:
TRANS NPN/PNP 50V BIPO SC88-6
Λεπτομερής Περιγραφή:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
Αποθέμα:
3000 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12856450
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
NSVMUN5312DW1T2G Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
Διπολικός (BJT), Διατάξεις Βιοπολικών Τρανζίστορ, Προεισαγωγική Πρότυπη
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος τρανζίστορ
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.)
100mA
Ανάλυση εκπομπού τάσης - συλλέκτη (μέγ.)
50V
Αντίσταση - Βάση (R1)
22kOhms
Αντίσταση - Βάση πομπού (R2)
22kOhms
Κέρδος ρεύματος DC (hFE) (ελάχιστο) @ IC, Vce
60 @ 5mA, 10V
Vce κορεσμός (μέγ.) @ Ib, Ic
250mV @ 300µA, 10mA
Ρεύμα - Συλλέκτης Cutoff (Μέγ.)
500nA
Συχνότητα - Μετάβαση
-
Ισχύς - Μέγιστη
250mW
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
SC-88/SC70-6/SOT-363
Βασικός αριθμός προϊόντος
NSVMUN5312
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
NSVMUN5312DW1T2G-DG
2156-NSVMUN5312DW1T2G-488
NSVMUN5312DW1T2GOSDKR
NSVMUN5312DW1T2GOSTR
NSVMUN5312DW1T2GOSCT
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
NSVBA143ZDXV6T1G
TRANS 2PNP BIPO 60V SOT564
NSBC123JDXV6T5
TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
NSBA124XDXV6T1
TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
