NSVEMD4DXV6T5G
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

NSVEMD4DXV6T5G

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

NSVEMD4DXV6T5G-DG

Περιγραφή:

TRANS NPN/PNP DUAL BRT SOT563
Λεπτομερής Περιγραφή:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563

Αποθέμα:

12858299
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

NSVEMD4DXV6T5G Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
Διπολικός (BJT), Διατάξεις Βιοπολικών Τρανζίστορ, Προεισαγωγική Πρότυπη
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος τρανζίστορ
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.)
100mA
Ανάλυση εκπομπού τάσης - συλλέκτη (μέγ.)
50V
Αντίσταση - Βάση (R1)
47kOhms, 10kOhms
Αντίσταση - Βάση πομπού (R2)
47kOhms
Κέρδος ρεύματος DC (hFE) (ελάχιστο) @ IC, Vce
80 @ 5mA, 10V
Vce κορεσμός (μέγ.) @ Ib, Ic
250mV @ 300µA, 10mA
Ρεύμα - Συλλέκτης Cutoff (Μέγ.)
500nA
Συχνότητα - Μετάβαση
-
Ισχύς - Μέγιστη
500mW
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
SOT-563, SOT-666
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
SOT-563
Βασικός αριθμός προϊόντος
NSVEMD4

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
8,000
Άλλα ονόματα
2832-NSVEMD4DXV6T5GTR
488-NSVEMD4DXV6T5GDKR
488-NSVEMD4DXV6T5GCT
488-NSVEMD4DXV6T5GTR
NSVEMD4DXV6T5G-DG

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Εναλλακτικά Μοντέλα

ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
DDC143TH-7
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Diodes Incorporated
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
0
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
DDC143TH-7-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.06
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
RN1907FE,LF(CT
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Toshiba Semiconductor and Storage
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
307
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
RN1907FE,LF(CT-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.02
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
DDC114TH-7
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Diodes Incorporated
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
2980
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
DDC114TH-7-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.06
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
DDC114EH-7
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Diodes Incorporated
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
2670
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
DDC114EH-7-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.03
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
RN4987FE,LF(CT
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Toshiba Semiconductor and Storage
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
3442
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
RN4987FE,LF(CT-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.02
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
onsemi

NSVUMC5NT2G

TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SC88A

onsemi

NSVMUN5314DW1T3G

TRANS NPN/PNP 50V BIPO SC88-6

onsemi

NSBC124EDXV6T1

TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563

onsemi

NSBC114YDXV6T1G

TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563