Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
NSTJD4001NT1G
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
NSTJD4001NT1G-DG
Περιγραφή:
MOSFET P-CH SC88
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array
Αποθέμα:
12860477
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
NSTJD4001NT1G Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τεχνολογία
-
Διαμόρφωση
-
Δυνατότητα FET
-
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
-
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
-
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
-
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
-
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
-
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
-
Ισχύς - Μέγιστη
-
Θερμοκρασία λειτουργίας
-
Τύπος τοποθέτησης
-
Βασικός αριθμός προϊόντος
NSTJD4
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
488-NSTJD4001NT1GTR
NSTJD4001NT1G-DG
488-NSTJD4001NT1GCT
488-NSTJD4001NT1GDKR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
NDC7001C
MOSFET N/P-CH 60V 0.51A SSOT6
VQ2001P
MOSFET 4P-CH 30V 0.6A 14DIP
FC6546010R
MOSFET 2N-CH 60V 0.1A SMINI6-F3
