NSBC115EDXV6T1G
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

NSBC115EDXV6T1G

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

NSBC115EDXV6T1G-DG

Περιγραφή:

TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Λεπτομερής Περιγραφή:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563

Αποθέμα:

4000 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12839944
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

NSBC115EDXV6T1G Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
Διπολικός (BJT), Διατάξεις Βιοπολικών Τρανζίστορ, Προεισαγωγική Πρότυπη
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος τρανζίστορ
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.)
100mA
Ανάλυση εκπομπού τάσης - συλλέκτη (μέγ.)
50V
Αντίσταση - Βάση (R1)
100kOhms
Αντίσταση - Βάση πομπού (R2)
100kOhms
Κέρδος ρεύματος DC (hFE) (ελάχιστο) @ IC, Vce
80 @ 5mA, 10V
Vce κορεσμός (μέγ.) @ Ib, Ic
250mV @ 300µA, 10mA
Ρεύμα - Συλλέκτης Cutoff (Μέγ.)
500nA
Συχνότητα - Μετάβαση
-
Ισχύς - Μέγιστη
500mW
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
SOT-563, SOT-666
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
SOT-563
Βασικός αριθμός προϊόντος
NSBC115

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Φύλλα δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
4,000
Άλλα ονόματα
NSBC115EDXV6T1GOSCT
=NSBC115EDXV6T1GOSCT-DG
ONSONSNSBC115EDXV6T1G
NSBC115EDXV6T1GOSTR
NSBC115EDXV6T1GOSCT-DG
NSBC115EDXV6T1GOSTR-DG
488-NSBC115EDXV6T1GCT
488-NSBC115EDXV6T1GDKR
488-NSBC115EDXV6T1GTR
NSBC115EDXV6T1G-DG
2832-NSBC115EDXV6T1GTR
2156-NSBC115EDXV6T1G-OS

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
onsemi

SMUN5233DW1T1G

TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88

onsemi

EMG2DXV5T1

TRANS 2NPN PREBIAS 0.23W SOT553

onsemi

NSVBC114YDXV6T1G

TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563

onsemi

NSVBA114EDXV6T1G

TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563-6