Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
NILMS4501NR2G
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
NILMS4501NR2G-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 24V 9.5A 4PLLP
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 24 V 9.5A (Ta) 1.4W (Ta) Surface Mount 4-PLLP (6.2x5.2)
Αποθέμα:
12860556
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
NILMS4501NR2G Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
-
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
24 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
9.5A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
13mOhm @ 6A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1500 pF @ 6 V
Δυνατότητα FET
Current Sensing
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
1.4W (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
4-PLLP (6.2x5.2)
Συσκευασία / Θήκη
4-DFN
Βασικός αριθμός προϊόντος
NILMS45
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
2,500
Άλλα ονόματα
NILMS4501NR2GOSTR
NILMS4501NR2GOSCT
NILMS4501NR2G-DG
=NILMS4501NR2GOSCT-DG
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
FJ3303010L
MOSFET P-CH 30V 100MA SSSMINI3
HAT2299WP-EL-E
MOSFET N-CH 150V 14A 8WPAK
2SJ599(0)-ZK-E1-AY
TRANSISTOR
