Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
NE5517DR2G
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
NE5517DR2G-DG
Περιγραφή:
IC OPAMP TRANSCOND 2 CIRC 16SOIC
Λεπτομερής Περιγραφή:
Transconductance Amplifier 2 Circuit Push-Pull 16-SOIC
Αποθέμα:
6073 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12857105
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
NE5517DR2G Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
Ενισχυτές, Οργάνωση, Ενισχυτές Ολικής Αρμονικής, Ενισχυτές Ταξινόμησης
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος ενισχυτή
Transconductance
Αριθμός κυκλωμάτων
2
Τύπος εξόδου
Push-Pull
Ρυθμός περιστροφής
50V/µs
Προϊόν κέρδους εύρους ζώνης
2 MHz
Ρεύμα - Μεροληψία εισόδου
400 nA
Τάση - Μετατόπιση εισόδου
400 µV
Ρεύμα - Τροφοδοσία
2.6mA
Ρεύμα - Έξοδος / Κανάλι
500 µA
Τάση - Εύρος τροφοδοσίας (ελάχ.)
4 V
Τάση - Εύρος τροφοδοσίας (μέγ.)
44 V
Θερμοκρασία λειτουργίας
0°C ~ 70°C
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
16-SOIC
Βασικός αριθμός προϊόντος
NE5517
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
2,500
Άλλα ονόματα
NE5517DR2GOSCT
2156-NE5517DR2G-OS
NE5517DR2GOSTR
NE5517DR2G-DG
=NE5517DR2GOSCT-DG
ONSONSNE5517DR2G
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.33.0001
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
SA5534AN
IC OPAMP GP 1 CIRCUIT 8DIP
NCS20092DMR2G
IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8MSOP
NCV33074ADR2G
IC OPAMP GP 4 CIRCUIT 14SOIC
