Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
NDS8926
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
NDS8926-DG
Περιγραφή:
MOSFET 2N-CH 20V 5.5A 8SOIC
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 20V 5.5A 900mW Surface Mount 8-SOIC
Αποθέμα:
12857396
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
NDS8926 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
-
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
2 N-Channel (Dual)
Δυνατότητα FET
Logic Level Gate
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
20V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
5.5A
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
35mOhm @ 5.5A, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
30nC @ 4.5V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
760pF @ 10V
Ισχύς - Μέγιστη
900mW
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
8-SOIC
Βασικός αριθμός προϊόντος
NDS892
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Δελτία δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
2,500
Άλλα ονόματα
NDS8926TR
NDS8926CT
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
RoHS non-compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
NTHD4401PT3G
MOSFET 2P-CH 20V 2.1A CHIPFET
NVMFD5C446NLWFT1G
MOSFET 2N-CH 40V 25A/145A 8DFN
NTHD4401PT1G
MOSFET 2P-CH 20V 2.1A CHIPFET
