Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
NDD05N50Z-1G
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
NDD05N50Z-1G-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 500V 4.7A IPAK
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 500 V 4.7A (Tc) 83W (Tc) Through Hole IPAK
Αποθέμα:
12843172
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
NDD05N50Z-1G Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
-
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
500 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
4.7A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4.5V @ 50µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
18.5 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
530 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
83W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
IPAK
Συσκευασία / Θήκη
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Βασικός αριθμός προϊόντος
NDD05
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Δελτία δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
75
Άλλα ονόματα
ONSONSNDD05N50Z-1G
2156-NDD05N50Z-1G-ON
NDD05N50Z1G
NDD05N50Z-1GOS
NDD05N50Z-1G-DG
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IRFU430APBF
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Vishay Siliconix
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
391
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IRFU430APBF-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.72
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
STD5N52K3
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
STMicroelectronics
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
0
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
STD5N52K3-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.44
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
BSP220,115
MOSFET P-CH 200V 225MA SOT223
NTMFS5H630NLT1G
MOSFET N-CH 60V 22A/120A 5DFN
RFD12N06RLE
MOSFET N-CH 60V 18A IPAK
