NDD03N40ZT4G
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

NDD03N40ZT4G

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

NDD03N40ZT4G-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 400V 2.1A DPAK
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 400 V 2.1A (Tc) 37W (Tc) Surface Mount DPAK

Αποθέμα:

12840078
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

NDD03N40ZT4G Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
-
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
400 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
2.1A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
3.4Ohm @ 600mA, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4.5V @ 50µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
6.6 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
140 pF @ 50 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
37W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
DPAK
Συσκευασία / Θήκη
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Βασικός αριθμός προϊόντος
NDD03

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
2,500
Άλλα ονόματα
2156-NDD03N40ZT4G
ONSONSNDD03N40ZT4G

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
3 (168 Hours)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Εναλλακτικά Μοντέλα

ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
TK3P50D,RQ(S
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Toshiba Semiconductor and Storage
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
1899
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
TK3P50D,RQ(S-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.40
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
STD3NK50ZT4
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
STMicroelectronics
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
2443
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
STD3NK50ZT4-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.42
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
FDD3N40TM
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
onsemi
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
0
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
FDD3N40TM-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.22
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Direct
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
RJK4002DPD-00#J2
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Renesas Electronics Corporation
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
6000
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
RJK4002DPD-00#J2-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.50
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
onsemi

FQPF27N25

MOSFET N-CH 250V 14A TO220F

onsemi

FQB17P06TM

MOSFET P-CH 60V 17A D2PAK

onsemi

FDB2670

MOSFET N-CH 200V 19A TO263AB

onsemi

FQPF7N40

MOSFET N-CH 400V 4.6A TO220F