Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
NDD01N60-1G
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
NDD01N60-1G-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 600V 1.5A IPAK
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 600 V 1.5A (Tc) 46W (Tc) Through Hole I-Pak
Αποθέμα:
12843300
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
NDD01N60-1G Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
-
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
600 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
1.5A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
8.5Ohm @ 200mA, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
3.7V @ 50µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
7.2 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
160 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
46W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
I-PAK
Συσκευασία / Θήκη
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Βασικός αριθμός προϊόντος
NDD01
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
75
Άλλα ονόματα
2156-NDD01N60-1G-ON
ONSONSNDD01N60-1G
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
TSM1NB60CH C5G
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Taiwan Semiconductor Corporation
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
0
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
TSM1NB60CH C5G-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.21
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
NTMFS4845NT3G
MOSFET N-CH 30V 13.7A/115A 5DFN
NTMFS4841NHT3G
MOSFET N-CH 30V 8.6A/59A 5DFN
NVMFS5C450NLWFAFT3G
MOSFET N-CH 40V 27A/110A 5DFN
