Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
NDC632P
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
NDC632P-DG
Περιγραφή:
MOSFET P-CH 20V 2.7A SUPERSOT6
Λεπτομερής Περιγραφή:
P-Channel 20 V 2.7A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6
Αποθέμα:
12844031
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
NDC632P Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
-
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
P-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
20 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
2.7A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
2.7V, 4.5V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
140mOhm @ 2.7A, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
15 nC @ 4.5 V
Vgs (Μέγ.)
-8V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
550 pF @ 10 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
1.6W (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
SuperSOT™-6
Συσκευασία / Θήκη
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Βασικός αριθμός προϊόντος
NDC632
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
NDC632P-DG
NDC632PTR
NDC632PDKR
NDC632PCT
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
NTGS3441T1G
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
onsemi
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
9653
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
NTGS3441T1G-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.16
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
NVC3S5A51PLZT1G
MOSFET P-CH 60V 1.8A 3CPH
MCH6320-TL-W
MOSFET P-CH 12V 3.5A MCPH6
NTMTS0D7N04CTXG
MOSFET N-CH 40V 65A/420A 8DFNW
