MVB50P03HDLT4G
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

MVB50P03HDLT4G

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

MVB50P03HDLT4G-DG

Περιγραφή:

MOSFET P-CH 30V 50A D2PAK-3
Λεπτομερής Περιγραφή:
P-Channel 30 V 50A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount D2PAK

Αποθέμα:

12840366
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

MVB50P03HDLT4G Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
-
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
P-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
30 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
50A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
5V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
25mOhm @ 25A, 5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
100 nC @ 5 V
Vgs (Μέγ.)
±15V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
4900 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
125W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Βαθμολογώ
Automotive
Προσόν
AEC-Q101
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
D2PAK
Συσκευασία / Θήκη
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Βασικός αριθμός προϊόντος
MVB50

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
1

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
onsemi

MCH5839-TL-W

MOSFET P-CH 20V 1.5A SC88AFL

onsemi

FDS6673AZ

MOSFET P-CH 30V 14.5A 8SOIC

infineon-technologies

AUIRF3205Z

MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB

onsemi

NVMFS5833NLT1G

MOSFET N-CH 40V 16A 5DFN