MGSF1P02LT1
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

MGSF1P02LT1

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

MGSF1P02LT1-DG

Περιγραφή:

MOSFET P-CH 20V 750MA SOT23-3
Λεπτομερής Περιγραφή:
P-Channel 20 V 750mA (Ta) 400mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

Αποθέμα:

12854952
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

MGSF1P02LT1 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
-
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
P-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
20 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
750mA (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
350mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.4V @ 250µA
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
130 pF @ 5 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
400mW (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
SOT-23-3 (TO-236)
Συσκευασία / Θήκη
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Βασικός αριθμός προϊόντος
MGSF1

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
MGSF1P02LT1OSCT
MGSF1P02LT1OSTR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
RoHS non-compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Εναλλακτικά Μοντέλα

ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IRLML6302TRPBF
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Infineon Technologies
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
239189
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IRLML6302TRPBF-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.08
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
renesas-electronics-america

2SJ690-T1B-AT

MOSFET P-CH 30V 2.5A SC96-3

onsemi

MMBF0201NLT1

MOSFET N-CH 20V 300MA SOT-23

renesas-electronics-america

RJL6013DPE-00#J3

MOSFET N-CH 600V 11A 4LDPAK

onsemi

MCH6444-TL-W

MOSFET N-CH 35V 2.5A MCPH6