Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
IRLU110ATU
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
IRLU110ATU-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 100V 4.7A I-PAK
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 100 V 4.7A (Tc) 2.5W (Ta), 22W (Tc) Through Hole I-PAK
Αποθέμα:
12839243
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
IRLU110ATU Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
-
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
100 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
4.7A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
5V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
440mOhm @ 2.35A, 5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
8 nC @ 5 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
235 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
2.5W (Ta), 22W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
I-PAK
Συσκευασία / Θήκη
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Βασικός αριθμός προϊόντος
IRLU11
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
5,040
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IRLU110PBF
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Vishay Siliconix
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
7097
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IRLU110PBF-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.50
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
FQD7N20TM_F080
MOSFET N-CH 200V 5.3A DPAK
FDB13AN06A0
MOSFET N-CH 60V 10.9A/62A D2PAK
FQPF630
MOSFET N-CH 200V 6.3A TO220F