IRLS630A
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

IRLS630A

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

IRLS630A-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 200V 6.5A TO220-3
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 200 V 6.5A (Tc) 36W (Tc) Through Hole TO-220-3

Αποθέμα:

12839528
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

IRLS630A Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
-
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
200 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
6.5A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
5V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
400mOhm @ 3.25A, 5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
27 nC @ 5 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
755 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
36W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-220-3
Συσκευασία / Θήκη
TO-220-3
Βασικός αριθμός προϊόντος
IRLS63

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
50

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Εναλλακτικά Μοντέλα

ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IRLI630GPBF
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Vishay Siliconix
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
991
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IRLI630GPBF-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
1.08
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
infineon-technologies

62-0218PBF

MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-SO

panasonic

2SK302200L

MOSFET N-CH 60V 5A U-G2

onsemi

HUFA76645P3

MOSFET N-CH 100V 75A TO220-3

onsemi

FDS4141

MOSFET P-CH 40V 10.8A 8SOIC