HUF76419S3ST
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

HUF76419S3ST

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

HUF76419S3ST-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 60V 29A D2PAK
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 60 V 29A (Tc) 75W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Αποθέμα:

12851060
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

HUF76419S3ST Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
-
Σειρά
UltraFET™
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
60 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
29A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
35mOhm @ 29A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
3V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
28 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±16V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
900 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
75W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-263 (D2PAK)
Συσκευασία / Θήκη
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Βασικός αριθμός προϊόντος
HUF76

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
800

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Εναλλακτικά Μοντέλα

ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
PSMN015-60BS,118
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Nexperia USA Inc.
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
11707
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
PSMN015-60BS,118-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.51
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
onsemi

HUF75229P3

MOSFET N-CH 50V 44A TO220-3

onsemi

BSS123

MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3

onsemi

FDA79N15

MOSFET N-CH 150V 79A TO3PN

onsemi

FDC642P-F085

MOSFET P-CH 20V 4A SUPERSOT6