HUF75639P3-F102
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

HUF75639P3-F102

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

HUF75639P3-F102-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 100V 56A TO220-3
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 100 V 56A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220-3

Αποθέμα:

800 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12922916
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
rVSn
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

HUF75639P3-F102 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Tube
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
100 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
56A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
25mOhm @ 56A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
130 nC @ 20 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
2000 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
200W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-220-3
Συσκευασία / Θήκη
TO-220-3
Βασικός αριθμός προϊόντος
HUF75639

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
800
Άλλα ονόματα
2832-HUF75639P3-F102
2832-HUF75639P3-F102-488
HUF75639P3_F102-DG
HUF75639P3_F102

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
Not Applicable
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Εναλλακτικά Μοντέλα

ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
AUIRF540Z
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Infineon Technologies
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
2924
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
AUIRF540Z-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
1.03
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
AOT2910L
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
0
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
AOT2910L-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.49
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
HUF75639P3
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
onsemi
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
453
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
HUF75639P3-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.98
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Parametric Equivalent
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
HUF75639G3
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
onsemi
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
415
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
HUF75639G3-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
1.49
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Parametric Equivalent
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IXTP75N10P
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
IXYS
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
36
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IXTP75N10P-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
2.14
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
taiwan-semiconductor

TSM60NC980CP ROG

600V, 4A, SINGLE N-CHANNEL POWER

nte-electronics-inc

NTE2393

MOSFET N-CHANNEL 500V 10A TO3P

taiwan-semiconductor

TSM60NC620CI C0G

600V, 7A, SINGLE N-CHANNEL POWER

nte-electronics

NTE491

MOSFET N-CHANNEL 60V 200MA TO92