HUF75329D3ST
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

HUF75329D3ST

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

HUF75329D3ST-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 55V 20A TO252AA
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 55 V 20A (Tc) 128W (Tc) Surface Mount TO-252AA

Αποθέμα:

2500 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12835756
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

HUF75329D3ST Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
UltraFET™
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
55 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
20A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
26mOhm @ 20A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
65 nC @ 20 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1060 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
128W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-252AA
Συσκευασία / Θήκη
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Βασικός αριθμός προϊόντος
HUF75329

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
2,500
Άλλα ονόματα
HUF75329D3STFSDKR
HUF75329D3STFSTR
HUF75329D3STFSCT
HUF75329D3ST-DG

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
onsemi

FDWS86380-F085

MOSFET N-CH 80V 50A POWER56

onsemi

FQA35N40

MOSFET N-CH 400V 35A TO3P

onsemi

FCI25N60N

MOSFET N-CH 600V 25A I2PAK

onsemi

BBL4001

MOSFET N-CH 60V 74A TO220-3 FP