Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
FQU8P10TU
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
FQU8P10TU-DG
Περιγραφή:
MOSFET P-CH 100V 6.6A IPAK
Λεπτομερής Περιγραφή:
P-Channel 100 V 6.6A (Tc) 2.5W (Ta), 44W (Tc) Through Hole IPAK
Αποθέμα:
12849056
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
FQU8P10TU Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
-
Σειρά
QFET®
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
P-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
100 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
6.6A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
530mOhm @ 3.3A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
470 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
2.5W (Ta), 44W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
IPAK
Συσκευασία / Θήκη
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Βασικός αριθμός προϊόντος
FQU8P10
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
70
Άλλα ονόματα
FQU8P10TU-DG
FQU8P10TUOS
ONSONSFQU8P10TU
2156-FQU8P10TU-OS
2832-FQU8P10TU
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
Not Applicable
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IRFU9120PBF
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Vishay Siliconix
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
2697
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IRFU9120PBF-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.65
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
AOB190A60L
MOSFET N-CH 600V 20A TO263
AOL1454
MOSFET N-CH 40V 12A/50A ULTRASO8
AOT12N60
MOSFET N-CH 600V 12A TO220
