FQT7N10LTF
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

FQT7N10LTF

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

FQT7N10LTF-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223-4
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 100 V 1.7A (Tc) 2W (Tc) Surface Mount SOT-223-4

Αποθέμα:

55 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12933223
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

FQT7N10LTF Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
QFET®
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
100 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
1.7A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
350mOhm @ 850mA, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
6 nC @ 5 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
290 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
2W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
SOT-223-4
Συσκευασία / Θήκη
TO-261-4, TO-261AA
Βασικός αριθμός προϊόντος
FQT7N10

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
4,000
Άλλα ονόματα
FAIFSCFQT7N10LTF
FQT7N10LTFTR
FQT7N10LTFDKR
2156-FQT7N10LTF-OS
FQT7N10LTFCT

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Εναλλακτικά Μοντέλα

ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
DMN10H220LE-13
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Diodes Incorporated
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
6941
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
DMN10H220LE-13-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.18
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
PJW3N10A_R2_00001
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Panjit International Inc.
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
14009
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
PJW3N10A_R2_00001-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.11
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
PHT6NQ10T,135
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Nexperia USA Inc.
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
4949
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
PHT6NQ10T,135-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.28
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
ZXMN10A11GTA
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Diodes Incorporated
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
1708
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
ZXMN10A11GTA-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.22
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
PMT280ENEAX
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Nexperia USA Inc.
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
3365
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
PMT280ENEAX-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.11
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
renesas-electronics-america

2SK3116(1)-ZK-E2-AZ

N-CHANNEL POWER MOSFET

international-rectifier

IRFAC50

N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET

renesas-electronics-america

2SK3140-02-E

N-CHANNEL POWER MOSFET

onsemi

CPH3445-TL-E

NCH 4V DRIVE SERIES