Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
FQP7N20
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
FQP7N20-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 200V 6.6A TO220-3
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 200 V 6.6A (Tc) 63W (Tc) Through Hole TO-220-3
Αποθέμα:
12837135
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
FQP7N20 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
-
Σειρά
QFET®
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
200 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
6.6A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
690mOhm @ 3.3A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
5V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
10 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
400 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
63W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-220-3
Συσκευασία / Θήκη
TO-220-3
Βασικός αριθμός προϊόντος
FQP7
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
50
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
Not Applicable
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IRF630
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Harris Corporation
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
11535
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IRF630-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.80
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
RCX080N25
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Rohm Semiconductor
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
246
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
RCX080N25-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.43
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Direct
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
FDD9410L-F085
MOSFET N-CHANNEL 40V 50A TO252
IRFW540ATM
MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
FDS4675
MOSFET P-CH 40V 11A 8SOIC
