FQP3N60
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

FQP3N60

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

FQP3N60-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 600V 3A TO220-3
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 600 V 3A (Tc) 75W (Tc) Through Hole TO-220-3

Αποθέμα:

12837977
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

FQP3N60 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
-
Σειρά
QFET®
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
600 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
3A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
3.6Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
5V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
450 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
75W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-220-3
Συσκευασία / Θήκη
TO-220-3
Βασικός αριθμός προϊόντος
FQP3

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
1,000

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Εναλλακτικά Μοντέλα

ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
STP3NK60Z
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
STMicroelectronics
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
5888
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
STP3NK60Z-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.58
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IRFBC30PBF
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Vishay Siliconix
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
17159
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IRFBC30PBF-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.63
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
onsemi

FDBL9401-F085

MOSFET N-CH 40V 300A 8HPSOF

onsemi

FQD4N25TM

MOSFET N-CH 250V 3A DPAK

onsemi

FDMS7572S

MOSFET N-CH 25V 23A/49A 8PQFN

onsemi

FQD5N60CTF

MOSFET N-CH 600V 2.8A DPAK