Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
FQNL2N50BTA
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
FQNL2N50BTA-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 500V 350MA TO92-3
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 500 V 350mA (Tc) 1.5W (Tc) Through Hole TO-92-3
Αποθέμα:
12847857
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
FQNL2N50BTA Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Cut Tape (CT)
Σειρά
QFET®
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
500 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
350mA (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
5.3Ohm @ 175mA, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
3.7V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
8 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
230 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
1.5W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-92-3
Συσκευασία / Θήκη
TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Βασικός αριθμός προϊόντος
FQNL2
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
2,000
Άλλα ονόματα
FAIFSCFQNL2N50BTA
2156-FQNL2N50BTA-OS
FQNL2N50BTATB
FQNL2N50BTACT
FQNL2N50BTA-DG
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
STQ1NC45R-AP
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
STMicroelectronics
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
0
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
STQ1NC45R-AP-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.19
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
NTB13N10T4G
MOSFET N-CH 100V 13A D2PAK
FDMS7660AS
MOSFET N-CH 30V 26A/42A 8PQFN
FDMS003N08C
MOSFET N-CH 80V 22A/147A POWER56
