FQI4N90TU
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

FQI4N90TU

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

FQI4N90TU-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 900V 4.2A I2PAK
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 900 V 4.2A (Tc) 3.13W (Ta), 140W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)

Αποθέμα:

12848946
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

FQI4N90TU Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
-
Σειρά
QFET®
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
900 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
4.2A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
3.3Ohm @ 2.1A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
5V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1100 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
3.13W (Ta), 140W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-262 (I2PAK)
Συσκευασία / Θήκη
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Βασικός αριθμός προϊόντος
FQI4N90

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Φύλλα δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
1,000
Άλλα ονόματα
2156-FQI4N90TU-OS
ONSONSFQI4N90TU
2832-FQI4N90TU

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
Not Applicable
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
onsemi

FDD8870

MOSFET N-CH 30V 21A/160A TO252AA

onsemi

FQI5N60CTU

MOSFET N-CH 600V 4.5A I2PAK

alpha-and-omega-semiconductor

AOY66923

MOSFET N-CH 100V 16.5/58A TO251B

onsemi

HUF75617D3S

MOSFET N-CH 100V 16A TO252AA